Видеокурс по SIMATIC STEP 7


Эпитаксия

Ориентированный рост одного монокристалла на поверхности другого (подложки). В-ва могут быть одинаковы (гомоэпитаксия, или а в - тоэпитаксия) или различны (гетероэпитаксия). Э. определяется условием сопряжения кристаллич. решёток кристалла и подложки. Применяется в микроэлектронике, для получения композиц. материалов и др.

Нравится
Просмотров: 142

Похожие записи

Движение жидкости через капилляры или пористые диафрагмы...

Все о машиностроении. Описание машин, деталей, устройств, станков и прочего Вращательное бурение

Бурение, при к-ром инструмент - резец - вращается вокруг...

Физ. процесс (диффузия, теплопроводность, вязкое течение...