Видеокурс по SIMATIC STEP 7


Эпитаксия

Ориентированный рост одного монокристалла на поверхности другого (подложки). В-ва могут быть одинаковы (гомоэпитаксия, или а в - тоэпитаксия) или различны (гетероэпитаксия). Э. определяется условием сопряжения кристаллич. решёток кристалла и подложки. Применяется в микроэлектронике, для получения композиц. материалов и др.

Нравится
Просмотров: 142

Похожие записи

Все о машиностроении. Описание машин, деталей, устройств, станков и прочего Накатывание

Обработка холодным пластич. деформированием поверхностей...

Все о машиностроении. Описание машин, деталей, устройств, станков и прочего Кислотные красители

Водорастворимые органич. красители (азокрасители, антрахиноновые...

Все о машиностроении. Описание машин, деталей, устройств, станков и прочего Метр

Ед. длины в СИ, одна из основных единиц в этой системе...