Видеокурс по SIMATIC STEP 7


Инжекционный лазер

Полупроводниковыйлазер, в к-ром генерация когерентного излучения осуществляется в результате инжекции электронов и дырок в область р-п-перехода или гетероперехода под действием злектрич. поля. Имеет высокий кпд (до 50%), широкий диапазон рабочих частот (св. 109 Гц), но относительно невысокую когерентность излучения. И.л. отличает простота конструкции, а также очень малые габаритные размеры ПП кристалла, используемого одновременно в качестве активного элемента и оптич. резонатора лазера (не превышают 200-400 мкм), что обусловило применение И.л. для создания лазерных ИС (см. Интегрально-оптическая схема).

Нравится
Просмотров: 144

Похожие записи

Метод формования стекла, осн. на способности разогретой...

Величина, характеризующая сопротивление электрич. цепи...

Однолучевой запоминающий электроннолучевой прибор, мишень...