Видеокурс по SIMATIC STEP 7


Классификация кристаллических форм

Классификация кристаллических форм
Сложность внутренней кристаллической решетки приводит к большому разнообразию кристаллических форм. Однако, не смотря на многообразие форм различных кристаллов, существует ряд законов, ограничивающие возможное количество кристаллических форм и позволяющих их классифицировать.

Первым таким признаком является требование обязательного полного (сплошного) заполнения одинаковыми элементарными кристалликами объема большого кристалла. Сами расстояния между узлами решетки внутри кристалла должны удовлетворять условиях максимальной плотности при данных внешних условиях (давление, температура и др), обеспечивающей максимальную прочность решеток.

В процессе кристаллизации возможно искажение формы кристаллов при неравномерном росте отдельных граней. Однако величина углов, образованных гранями для кристаллов данного вида, является постоянной и служит одним из основных признаков установления типа кристалла.

По своим внешним формам кристаллы делятся на 32 класса и 7 систем: кубическую, тетрагональную, гексагональную, ромбоэдрическую, ромбическую, моноклинную и триклинную. Признаки этих систем рассмотрены в специальных курсах кристаллографии и разделах физической химии силикатов. Основным признаком этой классификации является разбивка по осям симметрии. Количество повторений при вращении вокруг оси симметрии определят порядок оси. Так, ось, проходящая через центр равностороннего треугольника, является осью третьего порядка, а через центр квадрата осью четвертого порядка.

Влияние импульсных дуговых способов сварки

Под воздействием термического цикла сварки в зоне термического влияния среднеуглеродистых легированных сталей формируются закалочные структуры...

Совершенствование технологии изготовления позволило повысить уровень служебных свойств низколегированного и легированного проката и в первую очередь...

Плавленые высокоглиноземистые изделия

Трудности получения плотных высокоглиноземистых изделий обычным керамическим способом привели к разработке метода получения...